中国教育图书进出口有限公司

Journal of Computational Electronics

I S S N：1569-8025

出版社：Springer Nature

2023 年

第 22 卷 4 期

第 22 卷 3 期

第 22 卷 2 期

第 22 卷 1 期

2022 年

第 21 卷 6 期

第 21 卷 5 期

第 21 卷 4 期

第 21 卷 3 期

第 21 卷 2 期

第 21 卷 1 期

2021 年

第 20 卷 6 期

第 20 卷 5 期

第 20 卷 4 期

第 20 卷 3 期

第 20 卷 2 期

第 20 卷 1 期

2020 年

第 19 卷 4 期

第 19 卷 3 期

第 19 卷 2 期

第 19 卷 1 期

2019 年

第 18 卷 4 期

第 18 卷 3 期

第 18 卷 2 期

第 18 卷 1 期

2018 年

第 17 卷 4 期

第 17 卷 3 期

第 17 卷 2 期

第 17 卷 1 期

2017 年

第 16 卷 4 期

第 16 卷 3 期

第 16 卷 2 期

第 16 卷 1 期

2016 年

第 15 卷 4 期

第 15 卷 3 期

第 15 卷 2 期

第 15 卷 1 期

2015 年

第 14 卷 4 期

第 14 卷 3 期

第 14 卷 2 期

第 14 卷 1 期

2014 年

第 13 卷 4 期

第 13 卷 3 期

第 13 卷 2 期

第 13 卷 1 期

2013 年

第 12 卷 4 期

第 12 卷 3 期

第 12 卷 2 期

第 12 卷 1 期

2012 年

第 11 卷 4 期

第 11 卷 3 期

第 11 卷 2 期

第 11 卷 1 期

2011 年

第 10 卷 4 期

第 10 卷 3 期

第 10 卷 1-2 期

2010 年

第 9 卷 3-4 期

第 9 卷 2 期

第 9 卷 1 期

2009 年

第 8 卷 3-4 期

第 8 卷 2 期

第 8 卷 1 期

2008 年

第 7 卷 4 期

第 7 卷 3 期

第 7 卷 2 期

第 7 卷 1 期

2007 年

第 6 卷 4 期

第 6 卷 1-3 期

第 5 卷 4 期

2006 年

第 5 卷 4 期

第 5 卷 2-3 期

第 5 卷 1 期

2005 年

第 4 卷 3-4 期

第 4 卷 1-2 期

2004 年

第 3 卷 3-4 期

第 3 卷 2 期

第 3 卷 1 期

2003 年

第 2 卷 2-4 期

第 2 卷 1 期

2002 年

第 1 卷 4 期

第 1 卷 3 期

第 1 卷 1/2 期

[期刊论文]

Analyzing the distribution of threshold voltage degradation in nanoscale transistors by using reaction-diffusion and percolation theory

DO I：10.1007/s10825-011-0369-4

作者：Ahmad Ehteshamul Islam;Muhammad Ashraful Alam;

页码：341 - 351

全文购买

[期刊论文]

An optimum side-lobe reduction method with weight perturbation

DO I：10.1007/s10825-019-01323-5

作者：Jafar Ramadhan Mohammed;

页码：705 - 711

全文购买

[期刊论文]

Effect of the front-metal work function on the performance of a-Si:H(n+)/a-Si:H(i)/c-Si(p) heterojunction solar cells

DO I：10.1007/s10825-019-01324-4

作者：Chedia Aliani;Monem Krichen;Abdelaziz Zouari;

页码：576 - 583

全文购买

[期刊论文]

A model for nonvolatile p-channel metal–ferroelectric–metal–insulator–semiconductor field-effect transistors (MFMIS FETs)

DO I：10.1007/s10825-019-01320-8

作者：Jing Sun;Yanping Li;Lei Cao;

页码：527 - 533

全文购买

[期刊论文]

Understanding the electrostatics of top-electrode vertical quantized Si nanowire metal–insulator–semiconductor (MIS) structures for future nanoelectronic applications

DO I：10.1007/s10825-019-01321-7

作者：Subhrajit Sikdar;Basudev Nag Chowdhury;Sanatan Chattopadhyay;

页码：465 - 472

全文购买

[期刊论文]

Optimal design of a 5.5-GHz low-power high-gain CMOS LNA using the flower pollination algorithm

DO I：10.1007/s10825-019-01322-6

作者：Sumalya Ghosh;Bishnu Prasad De;R. Kar;等

页码：737 - 747

全文购买

[期刊论文]

FLANN-SM analysis of a $$\varOmega$$ Ω unit cell

DO I：10.1007/s10825-019-01332-4

作者：Sambhudutta Nanda;Prasanna Kumar Sahu;Rabindra Kishore Mishra;

页码：1007 - 1016

全文购买

[期刊论文]

Electrostatically doped drain junctionless transistor for low-power applications

DO I：10.1007/s10825-019-01335-1

作者：Mohd Adil Raushan;Naushad Alam;Mohd Jawaid Siddiqui;

页码：864 - 871

全文购买

[期刊论文]

A 3-D potential model to assess DC characteristics of Si FinFETs

DO I：10.1007/s10825-019-01337-z

作者：U. F. Ahmed;M. M. Ahmed;

页码：893 - 905

全文购买

[期刊论文]

Optimization of anti-reflective coatings using a graded index based on silicon oxynitride

DO I：10.1007/s10825-019-01334-2

作者：A. M. Kaddouri;A. Kouzou;A. Hafaifa;等

页码：971 - 981

全文购买